英飛凌IPW65R029CFD7 650V CoolMOS? CFD7 SJ功率器件
發(fā)布時間:2023-12-28 10:52:52 瀏覽:2937
英飛凌650 V CoolMOS CFD7 MOSFET IPW65R029CFD7擴展了 CFD7 系列的電壓等級產(chǎn)品,是 650 V CoolMOS?? CFD2 的后繼產(chǎn)品。作為英飛凌快速體二極管產(chǎn)品組合的一部分,這一新產(chǎn)品系列融合了快速開關技術的所有優(yōu)勢以及卓越的硬換向魯棒性。
英飛凌采用 TO-247 封裝的 650V CoolMOS? CFD7 超結 MOSFET IPW65R029CFD7非常適合工業(yè)應用中的諧振拓撲結構,例如服務器、電信、太陽能和電動汽車充電站,與競爭對手相比,它能夠顯著提高效率。作為CFD2 SJ MOSFET系列的后繼產(chǎn)品,它具有更低的柵極電荷、改進的關斷行為和更低的反向恢復電荷,可實現(xiàn)最高的效率和功率密度以及額外的50V擊穿電壓。

功能概要
? 超快體二極管和極低的 Qrr
? 650V擊穿電壓
? 與競爭產(chǎn)品相比,開關損耗顯著降低
? 最低的 RDS(on) 隨溫度變化的依賴性
好處
? 出色的硬換向堅固性
? 為總線電壓增加的設計提供額外的安全裕度
? 提高功率密度
? 在工業(yè)SMPS應用中具有出色的輕載效率
? 提高工業(yè)SMPS應用中的滿載效率
? 與市場上的替代產(chǎn)品相比,具有價格競爭力
應用
? 電動汽車快速充電
? 服務器電源
? 太陽能系統(tǒng)解決方案
? 電信基礎設施
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,優(yōu)勢分銷Infineon英飛凌部分產(chǎn)品線,快速交付,歡迎聯(lián)系。
推薦資訊
Infineon的BAR88-02V硅PIN二極管專為手持設備設計,具有低正向電阻(1 mA時為1.5Ω)、低電容(0.28 pF@1 GHz)、極低信號失真和無鉛RoHS封裝。適用于無線通信(如手機、WLAN)和高速數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(如LTE、5G),技術參數(shù)包括0.4 pF電容、單管配置、100 mA最大正向電流、0.6Ω正向電阻、80 V最大反向電壓和500 ns反向恢復時間。因其高速開關和低信號失真特性,符合綠色制造標準。
iNRCORE 最新推出的 1KW 平面變壓器 專為極端環(huán)境設計,適用于 軍事、航空航天、汽車及工業(yè)領域。其 超薄 19.5mm 高度 和 49×40mm 緊湊尺寸 實現(xiàn)高達 1000W 輸出功率,支持 700kHz 高頻工作,并具備 3000VAC 隔離。工作溫度范圍 -55°C 至 +130°C,符合 Mil-Std 981 Class S 和 AEC-Q200 標準,適配 多種電源拓撲(如正向、半橋等),為高密度、高可靠性應用提供卓越性能。
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